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ED封裝IGBT模塊

ED封裝IGBT模塊
1200V和1700V ED封裝版塊圖片進行賽晶自研IGBT和場效應管處理芯片組，減低衰減，并提高了1200V版塊圖片額定的電流大小多達2X750A。進行市場流行的封裝并進行最先進的封裝加工制作工藝 和質優的封裝原料，以保障版塊圖片高牢靠性和長期限等安全性能。



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