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日立能源 門極可關斷晶閘管 GTO

日立能源 門極可關斷晶閘管 GTO
門極可關斷雙向可控硅(GTO)的的生產興于19時代80那個年代階段。GTO是雙向可控硅的中間1種,還可以利用門極加入的反方向直流電阻值值使其關斷。 門極可關斷雙向可控硅(GTO)為實現了低通態耗損率簡化裝修設計的。大多使用下,具代表性的電源電源開關幾率超范圍均在200至500赫茲。GTO使用價值特征們來說,說都是比較慢慢的電源電源開關。 從打到關及從關到開睡眠狀態的具代表性轉換成的次數是10-30微秒。任何GTO在開和關時都必須有被通稱”阻尼器器“ 的護理網。取消阻尼器控制電路設計,其實都是光感應器器,控制了直流電阻值值變高率。關斷阻尼器控制電路設計,其實都是電阻,控制了電阻值變高率。 任何ABB的GTO是壓裝元器。分為科學合理高強度壓,與適用工作效率最終電連接方式的散熱性能器壓裝在一個。
 

非對稱性的GTO分為兩類:內置緩沖層型和標準配置型。內置緩沖層型GTO具有出眾的低導通和低動態損耗。其中5SGF精密型針對快速切換優化設計,5SGT透明發射極型針對低導通損耗優化設計。標準配置型GTO完美平衡了導通和開關損耗。
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技術參數VDRM (V)VDC (V)ITGQM  @  Cs (A)ITGQM  @  Cs (μF)包裝設計* (mm)
標準
250014001500375/47
250014002000493/63
250014002500693/63
2500140030005108/75
45002800600158/34
450022002000493/63
4500280030006108/75
4500280040006120/85

*注解:工作臺面直勁/護殼極度
 

規格VDRM (V)VDC (V)ITGQM @
Cs (A)
ITGQM @ Cs(μF)進行包裝* (mm)
緩沖層
4500300030003108/75
4500280040006120/85

*注解:廚房操(cao)作臺直徑約/的外殼層面(mian)

 

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