澎湃“芯”動力，賽晶正式發布SiC芯片！

3月28日召開的(de)PCIM Asia 2024展上(shang)，賽晶科技信(xin)息(xi)隸屬關系子平(ping)臺SwissSEM即日起正式發布1200V/13mΩ SiC MOSFET處(chu)理器，并由處(chu)理器權威專家做施工現場評估(gu)報告(gao)《高溫度導通內阻服(fu)務(wu)行業技術(shu)領先的(de)1.2kV SiC MOSFET，采適用(yong)電動式汽車(che)緊身(shen)型變逆器》。

賽晶科(ke)技公司(si)SiC MOSFET心片(pian)

氧(yang)化硅（SiC）含(han)有高(gao)(gao)損(sun)壞交(jiao)變(bian)電場、高(gao)(gao)是處于飽和狀態光自(zi)(zi)動(dong)(dong)(dong)(dong)化設(she)備(bei)訪問速(su)度、發燒導率(lv)、高(gao)(gao)光自(zi)(zi)動(dong)(dong)(dong)(dong)化設(she)備(bei)孔(kong)隙率(lv)和高(gao)(gao)知識率(lv)等(deng)優點(dian)和缺點(dian)，是更(geng)好的(de)(de)半導體芯片裝修(xiu)材料，多用于新(xin)生物質(zhi)能(neng)汽車(che)、太陽能(neng)光伏逆變(bian)、電量設(she)備(bei)全釩液流(liu)電池、服務培訓器(qi)開(kai)關24v電源(yuan)、化工業開(kai)關24v電源(yuan)調頻、智(zhi)能(neng)化電量網、在(zai)高(gao)(gao)速(su)鐵(tie)路配套(tao)等(deng)各種研究(jiu)方向。尤為(wei)在(zai)新(xin)生物質(zhi)能(neng)汽車(che)研究(jiu)方向，氧(yang)化硅（SiC）電率(lv)自(zi)(zi)動(dong)(dong)(dong)(dong)化元器(qi)件能(neng)控(kong)制推動(dong)(dong)(dong)(dong)新(xin)生物質(zhi)能(neng)車(che)電量設(she)備(bei)光自(zi)(zi)動(dong)(dong)(dong)(dong)化設(she)備(bei)驅動(dong)(dong)(dong)(dong)器(qi)系統(tong)輕細(xi)化、高(gao)(gao)效率(lv)化，在(zai)新(xin)生物質(zhi)能(neng)車(che)的(de)(de)主(zhu)驅直(zhi)流(liu)電源(yuan)等(deng)關健自(zi)(zi)動(dong)(dong)(dong)(dong)控(kong)制元器(qi)件上展現(xian)更(geng)最(zui)重要的(de)(de)目(mu)的(de)(de)。逐漸國際相對于直(zhi)流(liu)電動(dong)(dong)(dong)(dong)汽車(che)采(cai)納程度較的(de)(de)迅(xun)速(su)提(ti)高(gao)(gao)自(zi)(zi)己，氧(yang)化硅（SiC）在(zai)明天十二年就會有是升級版的(de)(de)的(de)(de)增加(jia)突破口。

首次上線的賽晶技(ji)術(shu)SiC MOSFET處理器，進行單選題領域精英型的特色(se)化設計構思和(he)加工(gong)制作工(gong)藝 ，涉及(ji)到：

-- 處理器邊沿至金(jin)屬制層僅為約1002um；      -- 元胞行(xing)間距變低至不大5.02um；

-- 拿到(dao)佳的(de)(de)性能的(de)(de)短(duan)溝道設計；               -- 元(yuan)胞間的(de)(de)直流電擴散(san)轉移植入；

-- 柵極不銹鋼的布置間隔超重低(di)音在(zai)處理(li)器附近；     -- 有源居民小區(qu)多晶硅(gui)柵極澆(jiao)道；

-- 連續不斷的鋁銅源極焊盤(pan)。

緣于(yu)出彩(cai)的(de)規劃(hua)和制作工藝，公司的(de)SiC MOSFET心片(pian)(pian)在溫度的(de)工作狀(zhuang)況下(xia)，展出現出了極好的(de)靜止(zhi)和動態(tai)圖片(pian)(pian)特點(dian)，以及達成了產業完善水(shui)平面的(de)1200V/13mΩ。

于此(ci)，選(xuan)用此(ci)SiC MOSFET心片，賽晶科學技(ji)術還(huan)發(fa)行(xing)了很多規(gui)格型號的(de)(de)車(che)規(gui)級、高安全機械性(xing)(xing)能(neng)(neng)HEEV打(da)包(bao)(bao)(bao)打(da)包(bao)(bao)(bao)裝封(feng)(feng)、EVD打(da)包(bao)(bao)(bao)打(da)包(bao)(bao)(bao)裝封(feng)(feng)SiC輸出(chu)功能(neng)(neng)。HEEV打(da)包(bao)(bao)(bao)打(da)包(bao)(bao)(bao)裝封(feng)(feng)、EVD打(da)包(bao)(bao)(bao)打(da)包(bao)(bao)(bao)裝封(feng)(feng)SiC輸出(chu)功能(neng)(neng)選(xuan)用行(xing)業領(ling)域遙(yao)遙(yao)領(ling)先(xian)的(de)(de)開發(fa)和打(da)包(bao)(bao)(bao)打(da)包(bao)(bao)(bao)裝封(feng)(feng)工藝(yi)設備(bei)，具備(bei)著是精湛的(de)(de)風(feng)扇(shan)散(san)熱安全機械性(xing)(xing)能(neng)(neng)，并(bing)且 非常(chang)好(hao)的(de)(de)不靠譜性(xing)(xing)、魯(lu)棒性(xing)(xing)，并(bing)會網絡覆蓋100KW至(zhi)300KW 趨(qu)勢智能(neng)(neng)式(shi)車(che)采(cai)用市場需求(qiu)，尤其(qi)是智能(neng)(neng)式(shi)車(che)寬敞型變頻(pin)器。

往年(nian)同期誕生(sheng)的賽晶i20 IGBT電子器件、ED打(da)(da)包(bao)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)形(xing)(xing)式(shi)IGBT模(mo)快(kuai)(kuai)、ST打(da)(da)包(bao)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)形(xing)(xing)式(shi)IGBT模(mo)快(kuai)(kuai)、BEVD打(da)(da)包(bao)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)形(xing)(xing)式(shi)IGBT模(mo)快(kuai)(kuai)、EP打(da)(da)包(bao)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)形(xing)(xing)式(shi)IGBT模(mo)快(kuai)(kuai)，及(ji)其HEEV打(da)(da)包(bao)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)形(xing)(xing)式(shi)SiC模(mo)快(kuai)(kuai)、EVD打(da)(da)包(bao)封(feng)(feng)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)形(xing)(xing)式(shi)SiC模(mo)快(kuai)(kuai)產品，獲得了出席會(hui)議(yi)者的位置(zhi)關注度度和熱情洋(yang)溢(yi)反應，打(da)(da)動非常多出席會(hui)議(yi)者、直播(bo)來賓(bin)的熱情洋(yang)溢(yi)關注度度和深層次(ci)洽談。

磅礴“芯(xin)”能源，打造“芯(xin)”未來是(shi)什么(me)，在亞洲大(da)佬林立的(de)(de)PCIM Asia 2024，賽晶自主經(jing)營新(xin)新(xin)產(chan)品開(kai)發(fa)IGBT、SiC單(dan)片機芯(xin)片及接口等有很多新(xin)產(chan)品，得益于世界頂級的(de)(de)技術(shu)應用關(guan)卡(ka)和(he)桌(zhuo)越(yue)的(de)(de)的(de)(de)性(xing)能現象(xiang)，取勝國內鏈和(he)外外業(ye)內人(ren)士(shi)專業(ye)和(he)顧客(ke)的(de)(de)不一(yi)認同感和(he)間距頌揚。