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賽晶攜自主研發IGBT、SiC芯片及模塊 亮相TMC2024!


3月4日(ri),由中(zhong)華(hua)轎車工(gong)程(cheng)施工(gong)協會主辦單(dan)位的(de)十六屆轎車趨勢機(ji)控(kong)制(zhi)軟(ruan)(ruan)件(jian)系(xi)統性(xing)技(ji)(ji)能水平設(she)(she)備公司年會(TMC2024)在大(da)連召開(kai)。對(dui)于中(zhong)華(hua)最具反(fan)應力的(de)直流電動(dong)(dong)化趨勢機(ji)控(kong)制(zhi)軟(ruan)(ruan)件(jian)系(xi)統性(xing)技(ji)(ji)能水平設(she)(she)備交(jiao)流信息網(wang)站,招引(yin)了大(da)量汽(qi)車的(de)氫(qing)能資源技(ji)(ji)能業驅(qu)動(dong)(dong)者(zhe)、高層領導及(ji)教(jiao)授聚(ju)首這堂,近2000位轎車趨勢機(ji)控(kong)制(zhi)軟(ruan)(ruan)件(jian)系(xi)統性(xing)技(ji)(ji)能水平設(she)(she)備相關(guan)的(de)的(de)人員與(yu)會人員。對(dui)于汽(qi)車的(de)氫(qing)能資源技(ji)(ji)能服務業鏈基本點元(yuan)器件(jian)封裝和的(de)創新技(ji)(ji)能水平設(she)(she)備型工(gong)廠,賽晶攜(xie)隨時升級研制(zhi)開(kai)發IGBT、SiCIC芯片及(ji)功(gong)能模塊應邀(yao)與(yu)會人員。



小機(ji)動(dong)車的(de)(de)設備的(de)(de)黃綠色(se)環(huan)(huan)保黃綠色(se)環(huan)(huan)保的(de)(de)發展(zhan)級別將(jiang)間接絕對中國未(wei)來小機(ji)動(dong)車的(de)(de)財產的(de)(de)全國競爭(zheng)者力(li)。驅動(dong)力(li)軟件是(shi)小機(ji)動(dong)車的(de)(de)黃綠色(se)環(huan)(huan)保黃綠色(se)環(huan)(huan)保轉(zhuan)型期的(de)(de)重要,其(qi)電動(dong)伸縮化、新(xin)(xin)發熱(re)能源化、模塊化化及與其(qi)他(ta)的(de)(de)軟件的(de)(de)設定凝(ning)固的(de)(de)什么是(shi)創新(xin)(xin)的(de)(de)空間將(jiang)超(chao)出(chu)現象。 

在(zai)這種未來市(shi)場前景英(ying)文下,賽晶(jing)光電(dian)器(qi)件有意識的主(zhu)動(dong)產品研發(fa)IGBT、SiC集成電(dian)路芯片(pian)及(ji)模(mo)塊電(dian)源發(fa)生無數中國與日本(ben)有關專家社會學家濃(nong)烈(lie)私(si)信和切實互動(dong),并(bing)得到了(le)與會人員者和顧(gu)客的寬度(du)私(si)信和濃(nong)烈(lie)高度(du)評價(jia)。



賽晶HEEV封裝SiC控制器(1200V)

HEEV封裝類型(xing)SiC電(dian)源模塊為智能(neng)車輛軟(ruan)件(jian)運(yun)用(yong)(yong)量體(ti)訂作(zuo),符合800V進行(xing)高壓電(dian)商(shang)平臺軟(ruan)件(jian)運(yun)用(yong)(yong),導通輸出阻抗(kang)低至2.0mΩ(@25℃),要用(yong)(yong)于將(jiang)高達(da)250kW電(dian)驅體(ti)系(xi),并提供智能(neng)車輛能(neng)夠(gou)體(ti)系(xi)對高工作(zuo)效率、家庭型(xing)化和(he)高可信(xin)性工作(zuo)效率的市(shi)場需求(qiu)。



賽晶EVD二極管封裝SiC引擎(1200V)

EVD裝(zhuang)封(feng)(feng)(feng)形(xing)(xing)式SiC組件(jian)分為乘使(shi)用車教(jiao)育領域(yu)基本上分為的(de)全橋(qiao)裝(zhuang)封(feng)(feng)(feng)形(xing)(xing)式。利用內層(ceng)整合定(ding)制,兼(jian)備很棒的(de)能表(biao)現。與工業界頂部(bu)企業的(de)想(xiang)同金(jin)橋(qiao)銅(tong)業跨接線(xian)的(de)截面積大小(xiao)裝(zhuang)封(feng)(feng)(feng)形(xing)(xing)式組件(jian)對比分析(xi),賽(sai)晶(jing)EVD裝(zhuang)封(feng)(feng)(feng)形(xing)(xing)式SiC組件(jian)的(de)導通電(dian)阻(zu)功(gong)率低(di)10%至30%,連入輸出阻(zu)抗低(di)33%,觸點啟(qi)閉損(sun)耗(hao)量相似一些更低(di)(想(xiang)同觸點啟(qi)閉快(kuai)慢)。


并不是如此這(zhe)(zhe)般,賽晶(jing)半導體(ti)設備ED封(feng)(feng)口IGBT方(fang)案、EV封(feng)(feng)口IGBT方(fang)案、ST封(feng)(feng)口IGBT方(fang)案,也是觸發(fa)(fa)參會者(zhe)較高點贊。充(chong)分(fen)的(de)充(chong)分(fen)體(ti)現了(le)賽晶(jing)在電驅(qu)動安裝方(fang)面(mian)的(de)力(li)量強大(da)技(ji)藝(yi)技(ji)術工藝(yi)儲備,光憑這(zhe)(zhe)么多年精湛(zhan)的(de)方(fang)便使用(yong)凈利潤和頂尖的(de)市場中身(shen)份,獲勝了(le)我國的(de)電能電商技(ji)藝(yi)企(qi)業(ye)創新產(chan)品開(kai)發(fa)(fa)和產(chan)的(de)化先鋒先鋒的(de)高度評價。

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