賽晶攜車規級SiC模塊亮相第三屆全球xEV驅動系統技術暨產業大會

此次大會議上(shang)，賽晶(jing)能(neng)力經理兼整個(ge)市(shi)場的(de)(de)經理馬(ma)先(xian)奎就“優質(zhi)高公率(lv)硬度當(dang)下打包裝(zhuang)封(feng)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)卸規(gui)級(ji)(ji)公率(lv)控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)”來(lai)源(yuan)(yuan)于題投稿演講內容。馬(ma)先(xian)奎先(xian)生的(de)(de)英文從公率(lv)控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)適用消費的(de)(de)需(xu)求(qiu)說起(qi)，簡單介(jie)紹了電(dian)(dian)動(dong)三輪(lun)車電(dian)(dian)驅對(dui)(dui)公率(lv)控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)的(de)(de)能(neng)力消費的(de)(de)需(xu)求(qiu)，并不斷延展(zhan)到(dao)公率(lv)控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)打包裝(zhuang)封(feng)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)能(neng)力保持，各(ge)種(zhong)賽晶(jing)當(dang)下打包裝(zhuang)封(feng)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)安全理念(nian)—“壓(ya)注(zhu)打包裝(zhuang)封(feng)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)HEEV控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)”和車規(gui)級(ji)(ji)緊(jin)湊型(xing)(xing)的(de)(de)六(liu)合一(yi)打包裝(zhuang)封(feng)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)—”EVD打包裝(zhuang)封(feng)類(lei)(lei)(lei)型(xing)(xing)控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)“。這里是賽晶(jing)對(dui)(dui)旺盛發展(zhan)進步的(de)(de)電(dian)(dian)動(dong)三輪(lun)車整個(ge)市(shi)場的(de)(de)制(zhi)作的(de)(de)良好應對(dui)(dui)和對(dui)(dui)服務(wu)培訓好買家(jia)的(de)(de)意思(si)商品展(zhan)示。

車規級SiC信息摸塊——HEEV封裝SiC信息摸塊

HEEV裝封SiC模快是(shi)一個款含有(you)高(gao)些效率(lv)密度計算(suan)的(de)新式裝封模快，最(zui)主要(yao)造(zao)成高(gao)檔智能汽車(che)(che)的(de)汽車(che)(che)的(de)的(de)系(xi)統化供需量(liang)為智能汽車(che)(che)的(de)汽車(che)(che)的(de)選用(yong)(yong)領域量(liang)身打造(zao)定制。即滿意(yi)便捷率(lv)、復合材料分析(xi)和(he)高(gao)穩定性的(de)供需量(liang)，又要(yao)兼(jian)具到超性能方面無刷電(dian)機驅動軟件的(de)選用(yong)(yong)領域供需量(liang)。HEEV裝封SiC模快技(ji)術使(shi)用(yong)(yong)1200V SiC MOSFET基(ji)帶芯片，最(zui)合適(shi)800V直流高(gao)壓的(de)平(ping)臺選用(yong)(yong)領域。Rds(on)低至1.8mΩ@25℃，使(shi)用(yong)(yong)電(dian)驅效率(lv)高(gao)達mg250kW。在規劃和(he)選用(yong)(yong)領域上相對簡便方法和(he)便捷。

除了(le)(le)都是這樣，該信(xin)息模(mo)塊(kuai)圖片(pian)設(she)(she)計制作(zuo)的球(qiu)體積(ji)異常緊密(mi)(mi)，促使完成(cheng)電(dian)驅的輕考評(ping)，在(zai)急冷幾(ji)個(ge)等方面主要按照(zhao)了(le)(le)直接性(xing)油冷，時候現進工(gong)業陶瓷材料大(da)幅(fu)度(du)降低熱導率(lv)(lv)(lv)和(he)O型(xing)圈密(mi)(mi)封(feng)(feng)設(she)(she)計制作(zuo)的；在(zai)安全性(xing)幾(ji)個(ge)等方面主要按照(zhao)了(le)(le)壓注模(mo)封(feng)(feng)裝類型(xing)，的提升對生(sheng)態環境友(you)愛性(xing)，并衡(heng)量極(ji)高(gao)的輸(shu)出(chu)額定功(gong)率(lv)(lv)(lv)循環往(wang)(wang)復往(wang)(wang)復使用期。再者，該信(xin)息模(mo)塊(kuai)圖片(pian)還主要按照(zhao)了(le)(le)了(le)(le)無銅底(di)板技術工(gong)藝，杜絕(jue)了(le)(le)銅底(di)板和(he)AMB（絕(jue)緣電(dian)阻基片(pian)）中大(da)占地面焊層，以(yi)完成(cheng)極(ji)高(gao)的輸(shu)出(chu)額定功(gong)率(lv)(lv)(lv)循環往(wang)(wang)復往(wang)(wang)復使用期和(he)更低的熱導率(lv)(lv)(lv)。時候，還有(you)雜(za)散電(dian)感異常小，符合SiC飛速開關按鈕等特征 。

與工(gong)業(ye)界(jie)頭皮工(gong)業(ye)企業(ye)是一樣的型號裝封版塊(kuai)相比，在(zai)裝封尺寸規(gui)格/容積太(tai)問題，賽(sai)晶(jing)版塊(kuai)容積太(tai)減(jian)慢半(ban)頁(ye)；在(zai)接(jie)入電(dian)阻(zu)值問題，賽(sai)晶(jing)版塊(kuai)減(jian)慢半(ban)頁(ye)；在(zai)裝封雜散(san)(san)電(dian)感(gan)問題，賽(sai)晶(jing)版塊(kuai)雜散(san)(san)電(dian)感(gan)減(jian)慢1/3。

HEEV裝封SiC控制器（1200 V）與全球后腦的企業相同之處金橋銅業跨接線的截面積大小裝封控制器做對比主要的主要參數

車規級緊湊的六合一封裝模塊——EVD封裝模塊

EVD打包封裝摸(mo)(mo)(mo)塊(kuai)是賽(sai)晶車規級省油的(de)(de)(de)suv的(de)(de)(de)六(liu)合一(yi)打包封裝摸(mo)(mo)(mo)塊(kuai)，主(zhu)要是品(pin)牌類可此外兼容Si和SiC摸(mo)(mo)(mo)塊(kuai)，利(li)用(yong)走勢接(jie)線鼻(bi)子的(de)(de)(de)創(chuang)新性施工工藝(yi)和的(de)(de)(de)設計(ji)，并(bing)具較為(wei)先(xian)進的(de)(de)(de)內部管理SiC電源芯(xin)片串并(bing)聯排布，或過低的(de)(de)(de)銜接(jie)阻(zu)抗(kang)匹配。

與(yu)通(tong)用的(de)方(fang)法頂級廠(chang)家相同(tong)之(zhi)處之(zhi)處標(biao)準(zhun)芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)功(gong)能(neng)板(ban)(ban)塊(kuai)進行對(dui)比，在(zai)MOSFET導通(tong)耗油率(lv)電(dian)容等個(ge)因(yin)素(su)，賽晶(jing)功(gong)能(neng)板(ban)(ban)塊(kuai)減(jian)小10~30%導通(tong)耗油率(lv)電(dian)容；在(zai)銜接抗阻等個(ge)因(yin)素(su)，賽晶(jing)功(gong)能(neng)板(ban)(ban)塊(kuai)芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)抗阻低1/3；在(zai)旋(xuan)(xuan)鈕(niu)耗損(sun)率(lv)率(lv)等個(ge)因(yin)素(su)，相同(tong)之(zhi)處之(zhi)處旋(xuan)(xuan)鈕(niu)加速(su)度下享(xiang)有相同(tong)甚至(zhi)更低的(de)旋(xuan)(xuan)鈕(niu)耗損(sun)率(lv)率(lv)。耗油率(lv)功(gong)能(neng)板(ban)(ban)塊(kuai)符合(he)應(ying)(ying)用軟件應(ying)(ying)該一同(tong)的(de)關注電(dian)力電(dian)氣性(xing)能(neng)指標(biao)和經常性(xing)開機運(yun)行牢靠性(xing)，且(qie)兼容市場上趨勢產(chan)品芯片(pian)封(feng)裝(zhuang)。

EVD二極管封裝類型SiC板塊（1200 V）與浴霸腦部的企業相等規模二極管封裝類型板塊對照注意參數指標

因為打(da)(da)包(bao)裝(zhuang)封技術(shu)工藝的(de)(de)(de)(de)發展方向，壓注打(da)(da)包(bao)裝(zhuang)封的(de)(de)(de)(de)HEEV控制器兼具低雜感、密度小等特質，是(shi)能(neng)夠將SiC基帶芯片的(de)(de)(de)(de)功效(xiao)獲得更寬(kuan)裕的(de)(de)(de)(de)發揮(hui)出來。EVD打(da)(da)包(bao)裝(zhuang)封的(de)(de)(de)(de)成品(pin)是(shi)能(neng)夠讓買(mai)家是(shi)能(neng)夠極(ji)限有可能(neng)的(de)(de)(de)(de)仿效(xiao)不僅有Si成品(pin)的(de)(de)(de)(de)系統(tong)的(de)(de)(de)(de)構思，互相是(shi)能(neng)夠有具備(bei)靈活性高(gao)的(de)(de)(de)(de)商生產。

年會今年展品

在會(hui)議現場圖，賽晶展出了車(che)規級HEEV封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)SiC模(mo)組(zu)電源(yuan)(yuan)，及其i20系類1700V IGBT電源(yuan)(yuan)芯片組(zu)、ED封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)模(mo)組(zu)電源(yuan)(yuan)、ST封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)模(mo)組(zu)電源(yuan)(yuan)、EV封裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)模(mo)組(zu)電源(yuan)(yuan)，出現與會(hui)者技巧(qiao)研究方向專家和投資者的(de)廣泛(fan)性(xing)目光。集中(zhong)展現出賽晶在電安裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)驅動(dong)研究方向的(de)厲(li)害技巧(qiao)自我實力。

賽晶(jing)標(biao)攤(tan)前(qian)，各參會專(zhuan)業課程務工者相(xiang)繼進店在(zai)參觀和服務咨詢，并與實(shi)地現場(chang)技木(mu)、售銷人(ren)群(qun)進行了(le)更加深入(ru)交流溝通(tong)。歸(gui)功于國際聯盟(meng)頂級的(de)技木(mu)水平方(fang)向和睿智的(de)功效表達，賺的(de)我國外業內人(ren)士科(ke)研專(zhuan)家和合作方(fang)的(de)不符(fu)青睞和極度夸贊。

賽晶(jing)永遠始(shi)終把自(zi)動研發培訓的市場策略(lve)路徑，以“中(zhong)(zhong)國(guo)社(she)會企業(ye)創新(xin)，積極(ji)推(tui)動綠(lv)色的健康生(sheng)物質能(neng)不斷發展”為(wei)(wei)任務(wu)(wu)，以同行業(ye)頂(ding)級技(ji)(ji)木技(ji)(ji)術專(zhuan)家對為(wei)(wei)體(ti)系化，專(zhuan)業(ye)專(zhuan)注于創建德國(guo)進口名品(pin)IGBT、SiC廠(chang)品(pin)，服(fu)務(wu)(wu)質量于電動三輪小車、新(xin)生(sheng)物質能(neng)發電站、工業(ye)化的操縱(zong)等中(zhong)(zhong)國(guo)市場策略(lve)大新(xin)制造業(ye)，為(wei)(wei)推(tui)動人間中(zhong)(zhong)國(guo)社(she)會低(di)碳生(sheng)活節能(neng)技(ji)(ji)術、綠(lv)色的健康可保持不斷發展產生(sheng)業(ye)績(ji)。